| 专利名称: | 存储器及其制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910078245.5 |
| 申请日期: | 2009-02-23 |
| 专利号: | CN101494225 |
| 第一发明人: | 刘 明 王 琴 胡 媛 郭婷婷 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种冠状势垒复合隧穿层的纳米晶浮栅非易失存储器， 包括：硅衬底，在硅衬底上重掺杂的源导电区和漏导电区，在源、漏导电 区之间的载流子沟道上覆盖的由高k材料介质/SiO2材料介质/高k材料介 质组成的复合隧穿层，在复合隧穿层上覆盖的纳米晶浮栅层、在纳米晶浮 栅层上覆盖的高k材料或SiO2材料控制栅介质层，和在控制栅介质层上覆 盖的栅材料层。同时公开了一种制作上述存储器的方法。利用本发明，综 合改善了浮栅非易失存储器的存储性能，提高了编程/擦除速度和耐受性、 数据保持特性，降低了编程/擦除电压和操作功耗，折衷了编程/擦除效率 和数据保持的矛盾，提高了集成度，并且制作工艺简单，降低了制作成本。 |
| 其它备注: | |
科研产出