| 专利名称: | CMOS器件金属栅极及其形成方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910078421.5 |
| 申请日期: | 2009-02-20 |
| 专利号: | CN101494236 |
| 第一发明人: | 王文武 陈世杰 陈大鹏 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明提供一种CMOS器件金属栅极及其形成方法。 通过本发明所提供的技术方案，通过改变金属栅极的厚度，能够使金属 栅极材料在相同高介电常数栅介质上的有效功函数值发生明显变化，从而能 够以简单有效的方式实现对有效功函数的调节，并进而可有效调节高k栅介 质/金属栅极结构CMOS器件的阈值电压，由此得到能够满足纳米CMOS器 件的阈值电压要求的高k栅介质/金属栅极结构CMOS器件。此外，利用本 发明提供的技术方案，可以简化高k栅介质/金属栅极结构CMOS器件的加 工流程，不仅可以减少双金属栅薄膜的沉积工艺，而且还可以克服双金属栅 结构的复杂图样蚀刻问题。 |
| 其它备注: | |
科研产出