| 专利名称: | 具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810057921.6 |
| 申请日期: | 2008-02-21 |
| 专利号: | CN101515586 |
| 第一发明人: | 刘梦新 毕津顺 范雪梅 赵超荣 韩郑生 刘 刚 |
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| 专利摘要: | 本发明涉及射频功率器件领域，公开了一种具有紧密体接触的射 频SOI LDMOS器件，包括底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、P-区、N- 区、栅氧化层、多晶硅栅层、栅多晶硅化物层、栅电极、氮化硅侧墙、 N-漂移区、漏区、漏区硅化物层、漏电极、源区、体接触区、体区及 源区硅化物层、源电极。本发明将射频LDMOS器件制作于SOI衬底 之上，利用与P-区同型的重掺杂区域形成与源区短接的紧密体接触； 源/体、漏/体以及栅与各自电极间利用硅化物互联；采用多根栅条叉指 形式并联以增大器件驱动能力；设计与CMOS工艺兼容的调正、背栅 注入、N-区注入以及N-漂移区注入方法；设计与CMOS工艺兼容的 N-漂移区硅化物掩蔽方法。 |
| 其它备注: | |
科研产出