| 专利名称: | 具有H型栅的射频SOI LDMOS器件 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810057936.2 |
| 申请日期: | 2008-02-21 |
| 专利号: | CN101515588 |
| 第一发明人: | 刘梦新 毕津顺 范雪梅 赵超荣 韩郑生 刘 刚 |
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| 专利摘要: | 本发明涉及射频功率器件领域，公开了一种具有H型栅的射频SOI L DMOS器件，包括底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、P-区、N-区、H 型栅氧化层、H型多晶硅栅层、H型栅多晶硅化物层、栅电极、氮化 硅侧墙、N-漂移区、漏区、漏区硅化物层、漏电极、源区、体引出区、 源区硅化物层、源电极。本发明将射频LDMOS器件制作于SOI衬底 之上，利用与P-区同型的重掺杂区域形成与源区短接的体引出；源/ 体、漏/体以及栅与各自电极间利用硅化物互联；采用多根H型栅条叉 指形式并联以增大器件驱动能力。同时公开了与CMOS工艺兼容的调 正、背栅注入、N-区注入以及N-漂移区注入方法，以及与CMOS工 艺兼容的N-漂移区硅化物掩蔽方法。 |
| 其它备注: | |
科研产出