| 专利名称: | 硅基纳米柱阵列异质结薄膜太阳能电池及其制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910080138.6 |
| 申请日期: | 2009-03-24 |
| 专利号: | CN101521239 |
| 第一发明人: | 陈 晨 贾 锐 朱晨昕 李维龙 李昊峰 张培文 赵盛杰 刘 明 |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种硅基纳米柱阵列异质结薄膜太阳能电池及其制备方法，属于太 阳能电池制造领域领域。所述方法包括在P型太阳能级硅衬底上制备金属纳米晶掩蔽 层；以金属纳米晶掩蔽层作为掩蔽，采用干法刻蚀硅衬底，制备垂直的硅纳米柱阵列； 去除金属纳米晶掩蔽层；依次沉积本征非晶硅层和N型非晶硅层并形成异质结；最后 沉积透明导电薄膜层以及制备上接触电极和下接触电极。采用本法可一次性大面积的 制备上述太阳能能电池阵列，大大降低了成本。此外，本方法制备工艺简单，成本低， 具有很好的制备效率和工艺稳定性。且工艺步骤完全与现有的晶体硅、薄膜硅太阳能 电池的制备工艺兼容。易于大规模推广。 |
| 其它备注: | |
科研产出