专利名称: | 实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法 |
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申请号: | 200810102206.X |
申请日期: | 2008-03-19 |
专利号: | CN101540296 |
第一发明人: | 黎 明 张海英 徐静波 付晓君 |
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专利摘要: | 本发明涉及化合物半导体MMIC技术领域,公开一种采用GaAs 增强/耗尽型PHEMT技术实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的 制作方法,利用1.0μm GaAs E/D PHEMT工艺,制备出性能良好的 DC~10GHz SPDT MMIC,将全耗尽型微波开关与反相器逻辑电路集成 于同一芯片内,基本实现逻辑电路与开关电路的集成,整个电路只需 要1位控制信号,有效的减少了开关电路的控制端口数目,节省了芯 片面积。为将来采用E/D HEMT技术实现更大规模、更复杂电路集成 奠定了良好基础。发明具有成效明显,工艺设计简单易行,经济适用 和可靠性强的优点,容易在微波、毫米波化合物半导体电路制作中采 用和推广。 |
其它备注: | |
科研产出