专利名称: 实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法
专利类别:
申请号: 200810102206.X
申请日期: 2008-03-19
专利号: CN101540296
第一发明人: 黎 明 张海英 徐静波 付晓君
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要: 本发明涉及化合物半导体MMIC技术领域,公开一种采用GaAs
增强/耗尽型PHEMT技术实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的
制作方法,利用1.0μm GaAs E/D PHEMT工艺,制备出性能良好的
DC~10GHz SPDT MMIC,将全耗尽型微波开关与反相器逻辑电路集成
于同一芯片内,基本实现逻辑电路与开关电路的集成,整个电路只需
要1位控制信号,有效的减少了开关电路的控制端口数目,节省了芯
片面积。为将来采用E/D HEMT技术实现更大规模、更复杂电路集成
奠定了良好基础。发明具有成效明显,工艺设计简单易行,经济适用
和可靠性强的优点,容易在微波、毫米波化合物半导体电路制作中采
用和推广。
其它备注: