| 专利名称: | 单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810102205.5 |
| 申请日期: | 2008-03-19 |
| 专利号: | CN101540297 |
| 第一发明人: | 黎 明 张海英 徐静波 付晓君 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种单片集成E/D GaAs MHEMT环形振荡器的制 作方法，包括：对源漏进行光刻，蒸发Ti/Pt/Au形成欧姆接触，实现 源漏的制备；采用湿法腐蚀形成隔离台面，采用分步栅工艺，挖栅槽， 分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au分步形成增强型栅极和耗尽型栅极， 实现栅极的制备；采用PECVD生长一层SiN介质，溅射NiCr合金制 作电阻；刻孔，蒸发一次布线金属，再长介质SiN，再进行光刻二次布 线Ti/Au；常规金属剥离形成金属图形。利用本发明，采用改良的E/D MHEMT工艺技术，制备出性能良好的MHEMT 9阶和15阶环型振荡 器，对E/D MHEMT制备工艺技术进行了验证，确保了内部器件特性 的测量更精确。 |
| 其它备注: | |
科研产出