| 专利名称: | 在HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810103229.2 |
| 申请日期: | 2008-04-02 |
| 专利号: | CN101552199 |
| 第一发明人: | 金 智 刘新宇 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明公开了一种在HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的 方法，包括：A.在已进行发射极、基极金属以及集电极台面腐蚀的基 片上，旋涂光刻胶，光刻、显影，制作集电极金属图形；B.蒸发集电 极金属；C.剥离集电极金属；D.进行接线柱图形的光刻；E.蒸发 接线柱金属；F.剥离接线柱金属。利用本发明，由于将基极、集电极 接线柱的工艺通过一次工艺完成，节省了大量的人力和物力，所以简 化了制作工艺，降低了制作成本。 |
| 其它备注: | |
科研产出