| 专利名称: | 实现ZnO纳米线到场效应管衬底沉积和定位的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810103254.0 |
| 申请日期: | 2008-04-02 |
| 专利号: | CN101552204 |
| 第一发明人: | 黎 明 张海英 付晓君 徐静波 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种实现ZnO纳米线到场效应管衬底沉积和定位的 方法，该方法包括：在场效应管衬底上采用正性光刻胶和阴版光刻， 显影形成按照一定规律排列的光刻胶凹槽；采用超声乙醇水解法将 ZnO纳米线从原生长衬底上剥离；采用滴管将ZnO纳米线滴到所述布 满光刻胶凹槽的场效应管衬底上，实现将ZnO纳米线沉积在该场效应 管衬底上；蒸发掉乙醇，使ZnO纳米线掉入光刻胶凹槽中，在衬底上 形成按一定方向和固定位置的ZnO纳米线。利用本发明，实现了ZnO 纳米线从原玻璃衬底到场效应管衬底的沉积和定位的方法，解决了 ZnO纳米线上沉积到器件衬底后的杂乱排列的问题，实现了纳米线的 精确定位。 |
| 其它备注: | |
科研产出