| 专利名称: | 实现ZnO纳米线到场效应管衬底的定位方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810103255.5 |
| 申请日期: | 2008-04-02 |
| 专利号: | CN101552205 |
| 第一发明人: | 黎 明 张海英 付晓君 徐静波 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明公开了一种实现ZnO纳米线到场效应管衬底的定位方法， 该方法包括：在场效应管衬底上采用正性光刻胶和十字阳版光刻，显 影形成按照一定规律排列的十字；蒸发Ti/Au形成金属十字Marker以 及十字两侧的队列标记；采用超声乙醇水解法将ZnO纳米线从原生长 衬底上剥离；采用滴管将包含ZnO纳米线的液滴滴入所述金属十字 Marker中央，利用十字marker和两侧的队列标记定位出纳米线所在的 位置。利用本发明，实现了ZnO纳米线从原玻璃衬底到场效应管衬底 的沉积和定位，解决了ZnO纳米线上沉积到器件衬底后的杂乱排列的 问题，实现了纳米线的精确定位。 |
| 其它备注: | |
科研产出