专利名称: 利用S18系列正性光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法
专利类别:
申请号: 200810104223.7
申请日期: 2008-04-16
专利号: CN101562129
第一发明人: 金 智
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要: 本发明公开了一种利用S18系列正性光刻胶制作倒梯形剖面结构
的方法,该方法包括:A.在基片上涂布S18系列的光刻胶;B.将带
有光刻胶的基片在显影液中浸泡;C.在低温下烘烤;D.曝光;E.
在较高温度下烘烤;F.显影。本发明提供了一种工艺简单,无毒、无
害溶液处理的利用S18系列光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法,提高
了光刻的精度和倒梯形侧沿的可控性。
其它备注: