专利名称: | 利用S18系列正性光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法 |
专利类别: | |
申请号: | 200810104223.7 |
申请日期: | 2008-04-16 |
专利号: | CN101562129 |
第一发明人: | 金 智 |
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专利摘要: | 本发明公开了一种利用S18系列正性光刻胶制作倒梯形剖面结构 的方法,该方法包括:A.在基片上涂布S18系列的光刻胶;B.将带 有光刻胶的基片在显影液中浸泡;C.在低温下烘烤;D.曝光;E. 在较高温度下烘烤;F.显影。本发明提供了一种工艺简单,无毒、无 害溶液处理的利用S18系列光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法,提高 了光刻的精度和倒梯形侧沿的可控性。 |
其它备注: | |
科研产出