| 专利名称: | 用于MOS器件的金属栅极结构及其制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910303980.1 |
| 申请日期: | 2009-07-03 |
| 专利号: | CN101599436 |
| 第一发明人: | 王文武 陈世杰 陈大鹏 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种用于MOS器件的金属栅极结构及其制作方法，属于微电子技术中的MOS 器件技术领域。所述方法包括：在衬底上形成界面层；在界面层上形成高介电常数栅介质层 ；在高介电常数栅介质层上形成金属栅极材料层；对于界面层、高介电常数栅介质层和金属 栅极材料层进行金属化后退火处理，以形成金属栅极结构。本发明通过对金属栅极结构进行 金属化后退火处理，能够形成高质量、低缺陷金属栅极结构，并避免在退火过程中氧扩散到 SiO2/Si界面与衬底硅反应形成SiO2，从而使整个金属栅极结构的等效氧化层厚度保持较小 ，以满足MOS器件的性能要求。 |
| 其它备注: | |
科研产出