| 专利名称: | 一种制作200nm栅长GaAs基MHEMT器件的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810115563.X |
| 申请日期: | 2008-06-25 |
| 专利号: | CN101615580 |
| 第一发明人: | 黎 明 张海英 付晓君 徐静波 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种制作200nm栅长GaAs基MHEMT器件的方法，包 括：在MHEMT材料外延结构上制备源漏电极；在制备了源漏电极的 MHEMT材料外延结构上对有源区进行腐蚀隔离，形成隔离台面；采用三 层涂胶工艺，利用电子束光刻技术，制作出200nm的T型栅，并采用柠 檬酸系溶液腐蚀栅槽，蒸发Ti/Pt/Au作为栅极金属；光刻布线，蒸发布线 金属Ti//Au，丙酮浸泡剥离，完成200nm栅长GaAs基MHEMT器件的制 作。利用本发明，制作出了T型栅结构GaAs基MHEMT器件，获得了优 越的直流、高频和功率性能，为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件 奠定了基础。 |
| 其它备注: | |
科研产出