| 专利名称: | 采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810116044.5 |
| 申请日期: | 2008-07-02 |
| 专利号: | CN101621027 |
| 第一发明人: | 王显泰 金 智 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方 法，该方法包括：选择HBT材料的B-C结制作变容二极管，利用HBT中 基极层材料的高掺杂特征，使接触金属不经过高温金属化工艺或者快速金 属化工艺可形成欧姆接触；采用耐高温和多次加厚的掩膜层来保护无需二 次掺杂的区域，利用离子注入设备对变容二极管材料区域进行掺杂元素二 次掺杂，调整变容二极管材料区域掺杂组分至适于制作变容二极管的超突 变结状态，同时使无需二次掺杂的区域不受该二次掺杂的影响。本发明对 需优化性能的二极管器件材料区域进行二次掺杂，同时保护电路其他区域 的特性，使在同一片半导体材料可以在满足其他器件需求的同时，可以制 作高质量的变容二极管。 |
| 其它备注: | |
科研产出