| 专利名称: | 在厚负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ上制作密集图形的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810116381.4 |
| 申请日期: | 2008-07-09 |
| 专利号: | CN101625522 |
| 第一发明人: | 赵 珉 朱效立 陈宝钦 刘 明 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及纳米加工技术领域，公开了一种在厚负性高分辨率电子束 抗蚀剂HSQ上制作密集图形的方法，包括：A.对衬底进行表面清洁及热 处理；B.在衬底上涂敷负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ厚胶层；C.对 涂敷了HSQ厚胶层的衬底进行前烘；D.对HSQ厚胶层进行密集图形的 电子束直写曝光；E.显影的准备工作及实施显影；F.定影及干燥；G. 进行后续的图形转移工艺。利用本发明，抑制了背散射效应对低灵敏度负 性抗电子束蚀剂层上制作密集图形时尤为严重的邻近效应的影响，并且避 免由于抗蚀剂层应力、缺陷，以及显影气泡等因素造成的光刻图形漂移或 倒塌的现象，使得利用负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ制作密集图形的 厚胶工艺实用化。 |
| 其它备注: | |
科研产出