| 专利名称: | 互补型CMOS基准电压源 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910304798.8 |
| 申请日期: | 2009-07-24 |
| 专利号: | CN101625575 |
| 第一发明人: | 范 涛 袁国顺 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明公开了一种互补型CMOS基准电压源，属于电源及微电子技术领域。所述CMOS基准 电压源包括：参考电流产生电路，用于产生参考电流；NMOS管补偿产生电路，用于复制参考 电流作为漏电流，产生与温度成反比例变化的栅源电压；PMOS管补偿产生电路，用于复制参 考电流作为漏电流，产生与温度成正比例变化的栅源电压；比例求和电路，用于将正比例变 化的栅源电压和反比例变化的栅源电压进行比例求和，产生不随温度变化的电压。本发明提 供的纯CMOS工艺实现的基准电压源结构，利用NMOS和PMOS晶体管的不同漏电流区域的温度特 性，将正比例变化的栅源电压和反比例变化的栅源电压进行比例求和，产生不随温度变化的 参考电压。 |
| 其它备注: | |
科研产出