| 专利名称: | 低电压CMOS带隙基准电压源 |
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| 申请号: | 200910304881.5 |
| 申请日期: | 2009-07-28 |
| 专利号: | CN101630176 |
| 第一发明人: | 范 涛 袁国顺 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种低电压CMOS带隙基准电压源，属于电源及微电子技术领域。所述CMOS 带隙基准电压源包括：低电压放大器，用于在低电源电压下实现负反馈；一阶温度补偿产生 电路，与低电压放大器相连，用于在低电源电压下，产生能够进行一阶温度补偿的电流项； 高阶温度补偿产生电路，与低电压放大器相连，用于在低电源电压下，产生能够进行高阶温 度补偿的电流项；输出电压产生电路，用于产生输出电压。本发明提供的在低电源电压下工 作CMOS带隙基准电压源，将低电压放大器分别引入基准电压源的一阶补偿项和高阶补偿项中 ，然后比例求和并输出参考电压，从而保证了整个电路工作在很低的电源电压下。 |
| 其它备注: | |
科研产出