| 专利名称: | 一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910306635.3 |
| 申请日期: | 2009-09-07 |
| 专利号: | CN101645471 |
| 第一发明人: | 白 云 刘 键 麻 芃 朱 杰 饶志鹏 刘新宇 郭丽伟 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法，属于半导体器件技术领 域。所述探测器包括蓝宝石衬底，以及在所述蓝宝石衬底上依次排列生长的AlN缓冲层、 Al0.65Ga0.35N层、两个Al0.45Ga0.55N层、两个Al0.2Ga0.8N层和两个GaN层，其中，Al0.45Ga0.55N层 和其相邻的一个层之间形成一个pn结，Al0.2Ga0.8N层和其相邻的一个层之间形成一个pn结， GaN层和其相邻的一个层之间形成一个pn结。本发明的全波段紫外探测器可以实现在一套系 统内根据要求进行不同波段之间的转换探测，减少了使用成本，便于在实际工作中进行操作 。 |
| 其它备注: | |
科研产出