专利名称: 一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法
专利类别:
申请号: 200910307689.1
申请日期: 2009-09-25
专利号: CN101656208
第一发明人: 李永亮 徐秋霞
其它发明人:
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国外申请方式:
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实施情况:
专利证书号:
专利摘要: 本发明涉及一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法,属于集成电路制造技术领域。所
述方法包括以下步骤:在半导体衬底上形成高K栅介质层;在所述高K栅介质层上形成TaN金
属栅电极层,并在其上形成非晶硅硬掩膜;采用干法刻蚀所述非晶硅硬掩膜形成硬掩膜的图
形;采用湿法腐蚀对未被所述硬掩膜的图形覆盖的TaN金属栅电极层进行选择性腐蚀;采用
湿法腐蚀去除所述硬掩膜的图形。本发明以非晶硅为硬掩膜,采用湿法腐蚀TaN金属栅电极
层时,可以实现高选择比的TaN金属栅电极层的去除;另外,采用湿法腐蚀液去除剩余的非
晶硅硬掩膜时,对TaN金属栅电极层和高K栅介质层的选择比很高,不存在兼容性问题。
其它备注: