| 专利名称: | 一种提高GaN HEMT退火成功率的方法 |
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| 申请号: | 200910091630.3 |
| 申请日期: | 2009-08-26 |
| 专利号: | CN101661877 |
| 第一发明人: | 王鑫华 赵妙 刘新宇 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及一种提高GaN HEMT退火成功率的方法，属于半导体器件技 术领域。所述方法包括：测量GaN HEMT的肖特基反向特性曲线；根据测得 的肖特基反向特性曲线，绘制以ln|I|为纵坐标，Vr1/4为横坐标的电流电压 曲线；根据位于小于器件阈值电压区域内的电流电压曲线形状，判断是否对 GaN HEMT进行退火。本发明通过根据肖特基反向特性曲线绘制的电流电压曲 线，对GaN HEMT退火后其直流特性能否上升进行判断，从而选择性地对器 件进行退火，以降低退火后器件失效的数量，提高器件的退火成功率，同时 节约了成本。 |
| 其它备注: | |
科研产出