专利名称: 互补型金属氧化物半导体晶体管器件及其制作方法
申请号: 200810227483.3
申请日期: 2008-11-26
专利号: CN101740570A
第一发明人: 王文武 陈世杰
专利摘要: 本发明公开了一种互补型金属氧化物半导体(CMOS)晶体管器件及其制作方法。该CMOS晶体管器件包含硅衬底、第一晶体管和第二晶体管。本发明提供的这种具有主高k栅介质层和超薄高k界面层结构结构的CMOS晶体管器件及其制作方法,有效地解决32纳米以下技术代CMOS器件中由于使用高k电介质而带来的高阈值电压问题。采用本发明的CMOS器件结构,通过在主高k层下方加入一层超薄高k界面层结构来达到有效控制CMOS器件阈值电压的目的。