| 专利名称: | 一种制备ZnO多沟道纳米线场效应晶体管的方法 |
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| 申请号: | 200810240074.7 |
| 申请日期: | 2008-12-17 |
| 专利号: | CN101752256A |
| 第一发明人: | 黎明 徐静波 付晓君 |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种制备ZnO多沟道纳米线场效应晶体管的方法，包括：准备高掺杂的P++衬底；在高掺杂的P++衬底的正面蒸发一层SiO2形成栅氧；采用HF湿法腐蚀去掉高掺杂P++衬底背面的氧化层，背金形成栅极；在栅氧上光刻蒸发源漏金属电极；采用乙醇水解超声的方法使ZnO纳米线从本征玻璃衬底上面剥离下来；将剥离下来的多条ZnO纳米线随机滴入P型Si衬底的源漏金属电极上进行定位，使ZnO纳米线作为场效应晶体管的沟道将源漏电极搭接起来，形成ZnO多沟道纳米线场效应晶体管。本发明突破了单根纳米线场效应晶体管器件电流限制，获得相对大的开态电流和提高不同器件的驱动电流能力，为进一步传感器的制作打下坚实的基础。 |
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科研产出