| 专利名称: | 一种修饰有机场效应晶体管底电极的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810240083.6 |
| 申请日期: | 2008-12-17 |
| 专利号: | CN101752506A |
| 第一发明人: | 刘舸 刘明 刘兴华 商立伟 王宏 柳江 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种修饰有机场效应晶体管底电极的方法，该方法包括：在导电基底上热氧化生长绝缘介质薄膜；在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到底电极胶图形；真空蒸镀一层有机半导体材料；通过电子束蒸发在有机半导体材料表面蒸镀一层金属薄膜；用丙酮剥离掉光刻胶完成底电极的图形化；真空蒸镀有机半导体材料，完成器件的制作。本发明对底电极的修饰采用沟道半导体材料本身，减小了电极与沟道材料之间的接触电势差。修饰用的有机半导体材料使用真空蒸镀的方式得到，真空蒸镀得到的有机半导体材料相对于液相法来说具有更好物理形貌以至电学性能。另外，这种方法的工艺过程也比较简单，没有增加复杂的工艺。 |
| 其它备注: | |
科研产出