| 专利名称: | 一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810240084.0 |
| 申请日期: | 2008-12-17 |
| 专利号: | CN101752507A |
| 第一发明人: | 刘舸 刘明 刘兴华 商立伟 王宏 柳江 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法，该方法包括：在导电基底上生长绝缘介质薄膜；在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到底电极胶图形；在底电极胶图形表面蒸镀一层金属薄膜；用丙酮剥离掉光刻胶对底电极进行图形化；旋涂可溶性有机栅介质，填隙在源漏之间的沟道，平坦化源漏电极；干燥有机栅介质材料，并蒸镀有机半导体层。利用本发明，底电极的平坦化工艺比较操作方便，设备简单，也不需要昂贵的刻蚀机设备，普通的旋涂工艺就可以很容易实现。同时，有机栅介质材料有些无机材料作为栅介质所不具备的优点，且材料种类非常丰富，可选择的空间比较大。 |
| 其它备注: | |
科研产出