| 专利名称: | 一种具有非对称电学特性的阻变存储器 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910077524.X |
| 申请日期: | 2009-01-21 |
| 专利号: | CN101783389A |
| 第一发明人: | 刘明 左青云 龙世兵 |
| 其它发明人: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明公开了一种具有非对称电学特性的阻变存储器，包括：上电极；下电极；以及包含在上电极和下电极之间的具有阻变特性的阻变层薄膜。本发明的阻变存储器具有非对称的电学特性，在低阻态时具有整流作用，自身能够抑制串扰现象。本发明的阻变存储器具有结构简单，易集成，成本低的优点，有利于本发明的广泛推广和应用。 |
| 其它备注: | |
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