| 专利名称: | 一种对上电极进行费米能级修饰的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910077528.8 |
| 申请日期: | 2009-01-21 |
| 专利号: | CN101783394A |
| 第一发明人: | 刘舸 刘明 刘兴华 商立伟 王宏 柳江 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种对上电极进行费米能级修饰的方法，该方法包括：步骤1、在导电硅基底上热氧化生长绝缘介质薄膜；步骤2、在绝缘介质薄膜表面上真空蒸镀一层有机半导体材料；步骤3、在有机半导体材料上通过漏版用电子束蒸发蒸镀一层金属镍，并让金属镍在空气中自然氧化成氧化镍；步骤4、继续通过漏版用电子束蒸发蒸镀金属电极，完成器件的制作。利用本发明，不仅能有效减小金电极对有机半导体层的渗透和反应，同时，自然氧化的氧化镍层作为一种高功函数的过渡层，减小了金电极与有机半导体层之间肖特基势垒，从而改善了电极与有源层的接触。 |
| 其它备注: | |
科研产出