| 专利名称: | 采用非自限制生长机理沉积纳米叠层复合薄膜的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910077627.6 |
| 申请日期: | 2009-02-09 |
| 专利号: | CN101798682A |
| 第一发明人: | 李超波 夏洋 汪明刚 刘杰 陈瑶 赵丽莉 |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种采用非自限制生长机理沉积纳米叠层复合薄膜的方法，该方法包括：步骤1、向反应室中引入第一类前驱物，以非自限制的方式沉积第一层薄膜；步骤2、排空第一类前驱物；步骤3、向反应室中引入第二类前驱物，以非自限制的方式沉积第二层薄膜；步骤4、排空第二类前驱物；步骤5、向反应室中引入第三类前驱物，以非自限制的方式沉积第三层薄膜；步骤6、排空第三类前驱物；步骤7、继续以上步骤，依次沉积第四层至第N层薄膜，直到薄膜生长完成为止，N为自然数。本发明采用脉冲控制的非自限制生长原理生长纳米叠层复合薄膜，生长速度快，台阶覆盖能力强，且对多层薄膜组分的控制能力强，可用于多层叠层纳米复合薄膜的快速生长。 |
| 其它备注: | |
科研产出