| 专利名称: | 一种双金属栅功函数的调节方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910077620.4 |
| 申请日期: | 2009-02-09 |
| 专利号: | CN101800196A |
| 第一发明人: | 徐秋霞 许高博 |
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| 专利摘要: | 一种双金属栅功函数的调节方法，主要步骤为：(1)用快速热氧化生长超薄界面氧化层或氮氧化层；(2)利用磁控反应溅射在超薄界面氧化层上交替溅射淀积高介电常数(K)栅介质，(3)淀积高K栅介质后，快速热退火；(4)采用磁控反应溅射淀积金属氮化物栅；(5)金属离子注入对金属氮化物栅进行掺杂；(6)刻蚀形成金属栅电极后，进行快速热退火将金属离子驱动到金属栅与高K栅介质的界面上。此方法简单易行，具有好的热稳定性和调节金属栅功函数的能力，而且与CMOS工艺完全兼容，便于集成电路产业化。 |
| 其它备注: | |
科研产出