| 专利名称: | 对有机场效应晶体管中有源层进行原位保护的方法 |
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| 申请号: | 200910077672.1 |
| 申请日期: | 2009-02-11 |
| 专利号: | CN101800283A |
| 第一发明人: | 刘舸 刘明 刘兴华 商立伟 王宏 柳江 |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种对有机场效应晶体管中有源层进行原位保护的方法，该方法包括：步骤1、在导电硅基底上热氧化生长绝缘介质薄膜；步骤2、在绝缘介质薄膜表面上真空蒸镀一层有机半导体材料；步骤3、接着继续蒸镀一层用作有源层保护层的小分子有机半导体材料；步骤4、通过漏版再蒸镀一层金属电极，完成器件的制作。本发明提供的这种对有机场效应晶体管中有源层进行原位保护的方法，对器件有源层在真空环境下形成保护层，减少了其暴露在空气中的机会。用于形成保护层的有机小分子材料也是同种类型的半导体材料，这样保证了器件的性能不受到大的影响。另外本发明的整个工艺过程实现起来也相当简单，没有额外的步骤和设备需求。 |
| 其它备注: | |
科研产出