| 专利名称: | 双层上电极有机场效应晶体管的制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910077673.6 |
| 申请日期: | 2009-02-11 |
| 专利号: | CN101800284A |
| 第一发明人: | 刘舸 刘明 刘兴华 商立伟 王宏 柳江 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种双层上电极有机场效应晶体管的制作方法，该方法包括：步骤1、在导电硅基底上热氧化生长绝缘介质薄膜；步骤2、在绝缘介质薄膜表面上真空蒸镀一层有机半导体材料；步骤3、通过漏版用电子束蒸发蒸镀一层金属电极；步骤4、再真空蒸镀一层有机半导体材料；步骤5、通过漏版用电子束蒸发蒸镀第二层金属电极，完成器件的制作。本发明提供的双层上电极有机场效应晶体管的制作方法，采用漏版蒸镀工艺，保证了生长的有机半导体薄膜的性能。而且，采用双层上电极结构，有效的减小了电极与沟道之间的距离，同时又保证了有源层的厚度。两层金属电极之间依靠金属粒子渗透进有机半导体材料而互连，从而不需要额外的互连工艺。 |
| 其它备注: | |
科研产出