专利名称: 一种在线检测硅纳米晶形态的方法
专利类别:
申请号: 200910078556.1
申请日期: 2009-02-25
专利号: CN101813624A
第一发明人: 刘明 王永 王琴 杨潇楠
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
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实施情况:
专利证书号:
专利摘要: 本发明公开了一种在线检测硅纳米晶形态的方法,包括:准备若干片硅片作为衬底,在该各衬底表面分别生长一隧穿介质层;用稀释氢氟酸处理衬底表面,再在该各衬底表面分别生长一层硅纳米晶;利用波长为365nm的单色光作为入射光入射至各衬底表面,由于表面材料和形貌的不同,反射光强必然会发生变化,记录各种生长时间的纳米晶硅片的反射率,建立生长时间与反射率之间的关系式;将以上各种硅片用扫描电镜和透射电镜进行破片分析,确定不同生长时间纳米晶的形态,建立不同纳米晶形态与生长时间的关系式;将纳米晶不同形态与反射率对应起来,建立相应的关系式,从而根据反射率来确定生长的纳米晶形态。利用本发明,实现了对硅纳米晶形态的在线快速检测。
其它备注: