| 专利名称: | 绝缘体硅射频集成电路的集成结构及制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200410045979.0 |
| 申请日期: | 2004-05-27 |
| 专利号: | CN1705132 |
| 第一发明人: | 杨 荣 李俊峰 徐秋霞 海潮和 韩郑生 周小茵 赵立新 牛洁斌 钱 鹤 |
| 其它发明人: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种用于绝缘体硅射频集成电路的集成结构，其中包括：一绝缘体 硅衬底，包括单晶硅层、隔离氧化层和硅薄层；场氧化层采用局域场氧 化隔离技术形成在硅薄层里与隔离氧化层相连，以阻断器件漏电；栅氧 化层是在硅薄层表面氧化形成；多晶硅层是在栅氧化层上淀积形成的； 氮化硅层形成在多晶硅层的周围；二硅化钛薄层以点状分布在硅薄层上； 第一层铝薄膜形成在二硅化钛薄层上；一二氧化硅层形成在场氧化层、 多晶硅层、氮化硅层、二硅化钛薄层和第一层铝薄膜上；部分第一层铝 薄膜镶嵌在二氧化硅层中；第二层铝薄膜与第一层铝薄膜局部相连，并 形成于二氧化硅层上。 |
| 其它备注: | |
科研产出