| 专利名称: | 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200410058037.6 |
| 申请日期: | 2004-08-09 |
| 专利号: | CN1734732 |
| 第一发明人: | 魏 珂 和致经 刘新宇 刘 健 吴德馨 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及AlGaN/GaN HEMT器件的欧姆接触技术领域，特别是 一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Au的合 金系统。欧姆接触金属蒸发时采用五层结构的AlTiAlTiAu结构。与AlGaN 接触的金属第一金属层为Al，然后顺次为次为Al/Ti/Al/Ti/Au。合金温 度的范围为660℃-760℃，合金时间在20-60S的范围内。该技术的合 金温度、合金时间有较大的选择范围，降低了工艺难度，扩大了工艺 宽容度，提高了工艺的重复性。获得比较理想的合金形貌。 |
| 其它备注: | |
科研产出