| 专利名称: | 一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200410080409.5 |
| 申请日期: | 2004-09-29 |
| 专利号: | CN1754860 |
| 第一发明人: | 徐秋霞 王大海 柴淑敏 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺，其主要步骤是清洗、真空退 火处理、溅射Ni薄膜、溅射TiN薄膜、快速热退火、选择腐蚀、玻璃淀 积、接触孔形成和金属化。本发明在Ni膜上加一盖帽层氮化钛，形成 TiN/Ni/Si结构，同时改进清洗方法，优化薄膜厚度和硅化反应的条件， 获得了很好的结果。不但薄膜的薄层电阻明显减小，而且热稳定性有了 明显的提高，即由低阻NiSi相向高阻NiSi2相转变的温度提高了，浅结 漏电流得到改善。与常规Ti和Co硅化物工艺比较，该方法工艺步骤少， 成本低，器件性能改善显着，因而极具吸引力。特别在亚50纳米技术中 是常规Ti和Co硅化物工艺所不可替代的工艺。 |
| 其它备注: | |
科研产出