| 专利名称: | 一种鱼脊形场效应晶体管的结构和制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200410088513.9 |
| 申请日期: | 2004-11-03 |
| 专利号: | CN1770453 |
| 第一发明人: | 殷华湘 徐秋霞 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种鱼脊形场效应晶体管的结构和制备方法，步骤为：在原始硅片 上形成低掺杂的P阱与N阱；近似全平面的凹陷局部场氧化隔离，形成 有源区；淀积氧化层/氮化硅/氧化层多层绝缘层用于栅电极与衬底的隔 离；在多层绝缘介质层上光刻、干法刻蚀出凹槽结构；在与凹槽的垂直 的方向上光刻硅岛图形，然后干法刻蚀掉凹槽中剩余的绝缘介质，再干 法刻蚀硅衬底形成硅岛；淀积氧化硅和氮化硅，再各向异性刻蚀形成氮 化硅侧墙；三维薄栅氧化并淀积栅电极材料；光刻和刻蚀源漏区上的多 晶硅和介质至硅衬底表面；源漏注入掺杂并快速热退火激活；淀积和刻 蚀形成二氧化硅源漏侧墙；自对准硅化物；硼磷硅玻璃覆盖隔离，光刻 与干法刻蚀接触孔，并多层金属化。 |
| 其它备注: | |
科研产出