| 专利名称: | 高高宽比深亚微米、纳米金属结构的三层制作工艺 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200410101872.3 |
| 申请日期: | 2004-12-30 |
| 专利号: | CN1799986 |
| 第一发明人: | 谢常青 叶甜春 陈大鹏 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种高高宽比深亚微米、纳米金属结构的三层制作工艺，步骤如下： 1.在硅片上淀积薄铬薄金层；2.在薄铬薄金层表面甩底层光刻胶，并 前烘固化；3.淀积中间绝缘层；4.涂顶层电子束光刻胶，进行电子束 光刻；5.各向异性刻蚀中间绝缘层图形；6.各向异性刻蚀底层光刻胶 图形；7.将片子放在电镀液中电镀高高宽比深亚微米、纳米金属结构； 8.去除中间绝缘层图形；9.去除底层光刻胶图形；10.去薄铬薄金层， 完成高高宽比深亚微米、纳米金属结构。本发明的工艺，采用三层胶图 形转移技术，一次正面电子束光刻，二次各向异性刻蚀进行图形转移获 得高高宽比深亚微米、纳米金属结构，能满足纳米尺度的微机械系统元 件要求，并大批量生产。 |
| 其它备注: | |
科研产出