| 专利名称: | 一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200510011990.X |
| 申请日期: | 2005-06-23 |
| 专利号: | CN1885521 |
| 第一发明人: | 涂德钰 王从舜 刘 明 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法，其工艺步骤如下： 1.在基片表面上淀积氮化硅薄膜；2.在氮化硅薄膜表面上旋涂抗蚀剂， 光刻得到电极图形；3.利用抗蚀剂掩蔽刻蚀氮化硅薄膜；4.蒸发、剥离 金属得到交叉线下电极；5.生长牺牲层材料；6.化学机械抛光牺牲层 材料至氮化硅薄膜表面；7.旋涂抗蚀剂，光刻得到上电极图形；8.蒸 发、剥离金属得到上电极；9.牺牲层释放；10.液相法生长有机分子材 料；11.刻蚀，完成交叉线有机分子器件的制备。 |
| 其它备注: | |
科研产出