| 专利名称: | 砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200510088980.6 |
| 申请日期: | 2005-08-04 |
| 专利号: | CN1909241 |
| 第一发明人: | 李海鸥 尹军舰 张海英 叶甜春 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构，为 单片集成增强/耗尽型，其采用铟镓砷/铟铝砷/铟镓砷材料结构，在半绝 缘砷化镓衬底材料上，应用缓变生长技术生长线性缓变铟铝镓砷外延层 作为缓冲层，然后在缓冲层上顺序生长：铟铝砷层、铟镓砷层、铟铝砷 层、平面掺杂层、铟铝砷层、铟磷层、铟铝砷层、铟镓砷层。本发明设 计的材料结构测得其沟道二维电子气浓度为1.57E+12cm-2，电子迁移率 为9790cm2/V.S，制作出了具有良好性能的增强/耗尽型应变高电子迁移 率晶体管器件，具有工艺重复性好、可靠性强的特点，在微波、毫米波 化合物半导体器件制作和直接耦合场效应管逻辑电路中具有非常明显的 实际应用价值。 |
| 其它备注: | |
科研产出