| 专利名称: | 砷化镓基增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管栅制作工艺 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200510093369.2 |
| 申请日期: | 2005-08-26 |
| 专利号: | CN1921077 |
| 第一发明人: | 李海鸥 张海英 尹军舰 叶甜春 和致经 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 一种砷化镓基单片集成增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管 (PHEMT)栅制作工艺，是在一种九层结构的砷化镓基增强/耗尽型PHEMT 器件材料上制作晶体管栅，其采用分步制作增强/耗尽型栅技术：第一 步，采用湿法腐蚀得到增强型栅槽，电子束蒸发金属Pt/Au形成增强型 肖特基栅；第二步，采用湿法腐蚀得到耗尽型栅槽，电子束蒸发金属 Ti/Pt/Au形成耗尽型肖特基栅。本发明工艺流程简单、易实现，对增强 型PHEMT的制作成功非常有利，且源电阻小，源漏饱和电流较大、工作 频率较高。 |
| 其它备注: | |
科研产出