| 专利名称: | 采用正性电子抗蚀剂制备金属纳米电极的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200510130438.2 |
| 申请日期: | 2005-12-08 |
| 专利号: | CN1979768 |
| 第一发明人: | 龙世兵 刘 明 陈宝钦 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种采用正性电子抗蚀剂制备金属纳米电极的方法。本发明的主要 特征是利用电子束邻近效应，采用电子束光刻(EBL)在各种衬底上获 得间距为纳米尺度的一对或一组具有线条、孔等各种形状的正性电子抗 蚀剂凹槽图形，再辅以金属淀积和剥离工艺制备各种金属材料纳米电极。 其主要步骤包括：在衬底上涂敷正性电子抗蚀剂；前烘；电子束直写曝 光；显影；定影；蒸发或溅射金属；在丙酮中进行剥离。采用这种方法 制备的金属纳米电极的间距可达到30-100nm，可用于制作各种量子点 器件、纳米线、纳米管器件、单电子器件等多种器件或电路。这种方法 具有工艺步骤少、简单、稳定可靠、用途多、能与传统CMOS工艺兼容 的优点。 |
| 其它备注: | |
科研产出