| 专利名称: | 一种二氧化碳超临界干燥装置 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200720103995.X |
| 申请日期: | 2007-03-28 |
| 专利号: | CN201014889 |
| 第一发明人: | 李全宝 景玉鹏 陈大鹏 欧 毅 叶甜春 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本实用新型涉及微电子技术中的微机电系统关键制造技术的牺牲层 释放技术领域，公开了一种二氧化碳超临界干燥装置，该装置包括：超临 界干燥室，用于牺牲层的释放，由高压反应室4和温度控制室5组成；高 压反应室4用于盛放硅片支架，提供二氧化碳置换和气化干燥的反应室， 与二氧化碳气瓶相连；温度控制室5通过盘管与高压反应室4相连，实现 高压反应室4的制冷和加热；分离减压室6，通过管道与高压反应室4相 连，用于将醇类和二氧化碳分离，并实现减压。利用本实用新型，解决了 微细加工中干燥时粘连的问题，并降低了液体二氧化碳的消耗量，达到了 节约能源和减少环境污染的目的。 |
| 其它备注: | |
科研产出