| 专利名称: | 高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200820124294.9 |
| 申请日期: | 2008-12-11 |
| 专利号: | CN201342395 |
| 第一发明人: | 景玉鹏 惠 瑜 |
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| 专利摘要: | 本实用新型公开了一种高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统，属于微电子机械设备 领域。所述系统包括密封的成膜腔，在所述成膜腔内设置有真空吸盘，所述真空吸盘 与旋转马达的转子相连接；在所述成膜腔内部还设置有加热装置；所述成膜腔通过管 路分别与外部二氧化碳钢瓶、反应气体钢瓶以及成膜液体罐相连通；此外，所述成膜 腔还连接有与外部连通的排气管。此系统可以制备各种可以旋涂成膜的薄膜以及化学 反应成膜。利用二氧化碳超临界流体的特殊性质，可以实现薄膜生长的应力可调。通 过对压力和转速的控制，实现膜厚可控。该设备的发明解决了在MEMS工艺薄膜制备过 程中残余应力大，薄厚膜制备困难等问题，可以大大推动MEMS工艺的发展。 |
| 其它备注: | |
科研产出