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专利名称: npn型InGaAs/InP DHBT外延层结构
专利类别: 发明
申请号: 200810103253.6
申请日期: 2008-04-02
专利号:
第一发明人: 金智, 刘新宇
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号: ZL200810103253.6
专利摘要:
其它备注: 四室
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