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专利名称: 具有应力结构的场效应晶体管器件
专利类别: 实用新型
申请号: 201120034184.5
申请日期: 2011-01-31
专利号: 201120034184.5
第一发明人: 朱慧珑，骆志炯，尹海洲
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
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实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:
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