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专利名称: 一种在IGBT或者VDMOS上形成的沟槽
专利类别: 实用新型
申请号: 201220688948.7
申请日期: 2012-12-13
专利号: ZL201220688948.7
第一发明人: 张文亮,赵佳,朱阳军,田晓丽
其它发明人:
国外申请日期:
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实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注: 一室
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