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专利名称: 一种III-V族半导体镍金属化制造方法
专利类别: 发明
申请号: 201110429393.4
申请日期: 2011-12-20
专利号: 201110429393.4
第一发明人: 刘洪刚,王虹,卢力,常虎东,孙兵
其它发明人:
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实施情况:
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专利摘要:
其它备注: 四室
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