应变半导体沟道形成方法和半导体器件 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	应变半导体沟道形成方法和半导体器件
专利类别:	发明
申请号:	PCT/CN2010/001436
申请日期:	2010-09-19
专利号:	US8,575,654
第一发明人:	尹海洲,朱慧珑,骆志炯
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:	十室

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