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专利名称: 应变半导体沟道形成方法和半导体器件
专利类别: 发明
申请号: PCT/CN2010/001436
申请日期: 2010-09-19
专利号: US8,575,654
第一发明人: 尹海洲,朱慧珑,骆志炯
其它备注: 十室
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