专利名称: 高迁移率III-V族半导体MOS界面结构
专利类别: 发明
申请号: 201010118896.5
申请日期: 2010-03-05
专利号: 201010118896.5
第一发明人: 刘洪刚
其它发明人:
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专利证书号:
专利摘要:
其它备注: 四室