当前位置 首页 科研工作 科研产出 专利
专利名称: 应变半导体沟道形成方法和半导体器件
专利类别: 发明专利
申请号: 201010244987.3
申请日期: 2010-08-04
专利号: ZL201010244987.3
第一发明人: 尹海洲
其它发明人: 尹海洲;朱慧珑;骆志炯
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: ZL201010244987.3
专利摘要:
其它备注: 中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所版权所有 邮编：100029
单位地址：北京市朝阳区北土城西路3号，电子邮件：webadmin@ime.ac.cn
京公网安备110402500036号，京ICP备05002781号-1