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专利名称: 阱区的形成方法和半导体基底
专利类别: 国际专利
申请号: PCT/CN2011/077634
申请日期: 2011-07-26
专利号: US8815698
第一发明人: 范正萍
其它发明人: 尹海洲;朱慧珑;骆志炯
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: US8815698
专利摘要:
其它备注: 中国科学院微电子研究所
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